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BLX13C

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASIBLX13CisDesignedfor28V,LinearAmplifier,classAandABintheHFandVHFbands. FEATURES: ?PG=21dBTypicalat25W/28MHz ?Omnigoldl?MetallizationSystem

ASI

Advanced Semiconductor

BLX13C

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASIBLX13CisDesignedfor28V,LinearAmplifier,classAandABintheHFandVHFbands. FEATURES: ?PG=21dBTypicalat25W/28MHz ?Omnigoldl?MetallizationSystem

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BM02B-GHS-TBT(LF)(SN)

JST/日壓
/

JST/日壓

BM02B-GHS-TBT(LF)(SN)

JST
/

JSTJST Mfg. Co., Ltd.

JST集團日本圧著端子製造株式會社

上傳：深圳市駿創(chuàng)達科技有限公司

BM02B-NSHSS-TBT(LF)(SN)

JST
/

JSTJST Mfg. Co., Ltd.

JST集團日本圧著端子製造株式會社

上傳：深圳市駿創(chuàng)達科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BLX13C

  • 功能描述：

    射頻雙極電源晶體管 RF Transistor

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置：

    Single 直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    40

  • 最大工作頻率：

    30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    25 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    4 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    20 A

  • 功率耗散：

    250 W

  • 封裝/箱體：

    Case 211-11

  • 封裝：

    Tray

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BLX13C供應(yīng)商 更新時間2025-8-1 10:30:00

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