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BLV30

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASIBLV30isDesignedforTelevisionBandIV&VApplicationsupto860MHz. FEATURES: ?CommonEmitter ?PG=10dBat2.0W/860MHz ?Omnigold?MetalizationSystem

ASI

Advanced Semiconductor

BLV30

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: BLV30isDesignedforTelevisionBandIV&VApplicationsupto860Mhz FEATURES CommonEmitter PG=10dBat2.0W/860Mhz OmnigoldMetalizationSystem

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

BLV30

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

ASI

Advanced Semiconductor

BLV30_06

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

ASI

Advanced Semiconductor

晶體管資料

  • 型號:

    BLV30

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質:

    甚高頻 (VHF)_TR_輸出極 (E)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    1.5A

  • 最大工作頻率:

    224MHZ

  • 引腳數:

    4

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    1.5W

  • 放大倍數:

  • 圖片代號:

    G-56

  • vtest:

    60

  • htest:

    224000000

  • atest:

    1.5

  • wtest:

    1.5

詳細參數

  • 型號:

    BLV30

  • 制造商:

    ASI

  • 制造商全稱:

    ASI

  • 功能描述:

    NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633
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更多BLV30供應商 更新時間2025-3-8 10:30:00