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BLT70分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLT70
廠商型號(hào)

BLT70

參數(shù)屬性

BLT70 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 8V 900MHZ SOT223

功能描述

RF Manual 16th edition
RF TRANS NPN 8V 900MHZ SOT223

文件大小

9.37507 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

130 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-6 15:22:00

BLT70規(guī)格書詳情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

BLT70屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。恩智浦半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BLT70晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLT70,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    8V

  • 頻率 - 躍遷:

    900MHz

  • 功率 - 最大值:

    2.1W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 100mA,4.8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    250mA

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SC-73

  • 描述:

    RF TRANS NPN 8V 900MHZ SOT223

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
PHILIPS
2020+
SOT-223
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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22+
SOT-223
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