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BLS6G3135S-120分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLS6G3135S-120
廠商型號

BLS6G3135S-120
參數(shù)屬性

BLS6G3135S-120 封裝/外殼為SOT-502B；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B
功能描述

RF Manual 16th edition
封裝外殼

SOT-502B
文件大小

9.37507 Mbytes
頁面數(shù)量

130 頁
生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp【恩智浦】

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-8 23:00:00
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BLS6G3135S-120規(guī)格書詳情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BLS6G3135S-120,112

  • 制造商：

    Ampleon USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    3.1GHz ~ 3.5GHz

  • 增益：

    11dB

  • 額定電流（安培）：

    7.2A

  • 功率 - 輸出：

    120W

  • 封裝/外殼：

    SOT-502B

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT502B

  • 描述：

    RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP/恩智浦
24+
NA/
1
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價
NXP
0803+
SMD
20
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
NXP/恩智浦
18+
SOT502
12500
全新原裝正品,本司專業(yè)配單,大單小單都配
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上海貝嶺
22+
TO220, TO220F, TO247, TO3PN, D
150000
上海貝嶺全系列在售,優(yōu)勢渠道
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NXP
2025+
SOT
3570
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售
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NXP
25+
SOT502
188600
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨 歡迎咨詢
 詢價
NXP
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150000
進口原裝,訂貨渠道!
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上海貝嶺
23+
TO220, TO220F, TO247, TO3PN, D
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Ampleon USA Inc.
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13880
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24+
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NXP專營品牌進口原裝現(xiàn)貨假一賠十
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