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BLS6G2735L-30

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BLS6G2735L-30

S-band LDMOS transistor

Generaldescription 30WLDMOSpowertransistorforS-bandradarapplicationsinthefrequencyrangefrom 2.7GHzto3.5GHz. Featuresandbenefits ?IntegratedESDprotection ?Excellentruggedness ?Highefficiency ?Excellentthermalstability ?Designedforbroadbandoperation(2.7GHz

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

BLS6G2735L-30_15

S-band LDMOS transistor

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BLS6G2735L-30,112

Package:SOT-1135A;包裝:托盤 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135A

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

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更多BLS6G2735L-30供應(yīng)商 更新時間2025-4-4 14:32:00