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BLP05H9S500P分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLP05H9S500P
廠商型號

BLP05H9S500P

參數(shù)屬性

BLP05H9S500P 封裝/外殼為OMP-780-4F-1;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:BLP05H9S500P/OMP780/REELDP

功能描述

Power LDMOS transistor
BLP05H9S500P/OMP780/REELDP

封裝外殼

OMP-780-4F-1

文件大小

1.55347 Mbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-7 18:32:00

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BLP05H9S500P規(guī)格書詳情

BLP05H9S500P屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLP05H9S500P晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

500 W LDMOS power transistor for various applications such as ISM, RF plasma lighting

and defrosting at frequencies from 423 MHz to 443 MHz.

Features and benefits

? High efficiency

? Easy power control

? Excellent ruggedness

? Integrated ESD protection

? Designed for ISM operation (423 MHz to 443 MHz)

? Excellent thermal stability

? For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website

Applications

? RF power amplifiers for CW and pulsed CW applications in the 423 MHz to 443 MHz

frequency range such as ISM, RF plasma lighting and defrosting

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLP05H9S500PY

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙),共源

  • 增益:

    25.2dB

  • 額定電流(安培):

    2.8μA

  • 功率 - 輸出:

    500W

  • 封裝/外殼:

    OMP-780-4F-1

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    OMP-780-4F-1

  • 描述:

    BLP05H9S500P/OMP780/REELDP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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