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CET04N10

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■100V,3A,RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=280mΩ@VGS=6V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

EMD04N10E

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)3.7mΩ ID180A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMD04N10FN

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)4.0mΩ ID87A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

LM04N10A

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

YJM04N10A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd

揚(yáng)州揚(yáng)杰電子揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司

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Ampleon USA Inc.
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Ampleon USA Inc.
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更多BLP04N10-P.B供應(yīng)商 更新時間2025-2-16 9:00:00

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