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BLF6G20-110

Power LDMOS transistor

Generaldescription 110WLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom1800MHzto2000MHz. Features ■Typical2-carrierW-CDMAperformanceatfrequenciesof1930MHzand1990MHz,asupplyvoltageof28VandanIDqof900mA: ◆Averageoutputpower=25W

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BLF6G20-110

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BLF6G20-110_09

Power LDMOS transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BLF6G20-110_15

Power LDMOS transistor

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BLF6G20-110,112

包裝：托盤 封裝/外殼：SOT-502A 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

BLC6G20-110

UHFpowerLDMOStransistor

Generaldescription 110WLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom1800MHzto2000MHz. Features ■Typical2-carrierW-CDMAperformanceatfrequenciesof1930MHzand1990MHz,a supplyvoltageof28VandanIDqof950mA: ◆Outputpower=25W(AV)

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BLF6G20-110

  • 功能描述：

    射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Freescale Semiconductor

  • 配置：

    Single

  • 頻率：

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益：

    27 dB

  • 輸出功率：

    100 W

  • 封裝/箱體：

    NI-780-4

  • 封裝：

    Tray

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
PHILIPS
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NXP/恩智浦
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 詢價(jià)
更多BLF6G20-110供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-29 10:50:00

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