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BLF6G15L-250PBRN

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BLF6G15L-250PBRN_15

Power LDMOS transistor

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BLF6G15L-250PBRN,1

包裝:散裝 封裝/外殼:SOT-1110A 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1110A

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

BLF6G15L-250PBRN:1

包裝:散裝 封裝/外殼:SOT-1110A 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1110A

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

詳細參數(shù)

  • 型號:

    BLF6G15L-250PBRN

  • 功能描述:

    射頻MOSFET電源晶體管 RF Power Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 頻率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 輸出功率:

    100 W

  • 封裝/箱體:

    NI-780-4

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BLF6G15L-250PBRN供應(yīng)商 更新時間2025-1-2 10:20:00