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BLF573分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF573
廠商型號

BLF573

參數(shù)屬性

BLF573 封裝/外殼為SOT-502B;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B

功能描述

HF / VHF power LDMOS transistor
RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B

封裝外殼

SOT-502B

文件大小

1.21831 Mbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-21 23:00:00

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BLF573規(guī)格書詳情

BLF573屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLF573晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

A 300 W LDMOS RF power transistor for broadcast applications and industrial, scientific

and medical applications in the HF to 500 MHz band.

Features and benefits

? Typical CW performance at frequency of 225 MHz, a supply voltage of 50 V and an

IDq of 900 mA:

? Average output power = 300 W

? Power gain = 27.2 dB

? Efficiency = 70

? Easy power control

? Integrated ESD protection

? Excellent ruggedness

? High efficiency

? Excellent thermal stability

? Designed for broadband operation (HF and VHF band)

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? Industrial, scientific and medical applications

? Broadcast transmitter applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLF573S,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    225MHz

  • 增益:

    27.2dB

  • 額定電流(安培):

    42A

  • 功率 - 輸出:

    300W

  • 封裝/外殼:

    SOT-502B

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT502B

  • 描述:

    RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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