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BLF278分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF278
廠商型號

BLF278

參數(shù)屬性

BLF278 封裝/外殼為SOT-262A1;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1

功能描述

VHP push-pull power MOS transistor

封裝外殼

SOT-262A1

文件大小

129.62 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-9 22:59:00

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BLF278規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Dual push-pull silicon N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor encapsulated in a 4-lead, SOT262A1 balanced flange package with two ceramic caps. The mounting flange provides the common source connection for the transistors.

FEATURES

? High power gain

? Easy power control

? Good thermal stability

? Gold metallization ensures excellent reliability.

APPLICATIONS

? Broadcast transmitters in the VHP frequency range.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BLF278/01,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    2 N 溝道(雙)共源

  • 頻率:

    108MHz

  • 增益:

    22dB

  • 額定電流(安培):

    18A

  • 功率 - 輸出:

    300W

  • 封裝/外殼:

    SOT-262A1

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CDFM4

  • 描述:

    RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1

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