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BIDNW30N60H3 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 BOURNS/伯恩斯

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  • 廠家型號：

    BIDNW30N60H3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    BOURNS

  • 庫存數(shù)量：

    35960

  • 產(chǎn)品封裝：

    con

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-5 9:00:00

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原廠料號：BIDNW30N60H3品牌：BOURNS

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  • 芯片型號：

    BIDNW30N60H3

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    BOURNS【伯恩斯】詳情

  • 廠商全稱：

    Bourns Electronic Solutions

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大?。?/span>

    1335.14 kb

  • 資料說明：

    BIDNW30N60H3 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    BIDNW30N60H3

  • 制造商：

    Bourns Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    1.85mJ（開）， 450μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    30ns/67ns

  • 測試條件：

    400V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247N-3L

  • 描述：

    IGBT 600V 30A TRENCH TO-247N-3L

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市德力誠信科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王女士

  • 手機(jī)：

    13969210552

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    深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路3031號漢國城市商業(yè)中心3204

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