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BGA125N6E6327XTSA1RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料

BGA125N6E6327XTSA1
廠商型號(hào)

BGA125N6E6327XTSA1
參數(shù)屬性

BGA125N6E6327XTSA1 封裝/外殼為6-XFDFN；包裝為托盤；類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器；產(chǎn)品描述：RF MMIC SUB 3 GHZ
功能描述

Ultra Low Current Low Noise Amplifier for L2/L5 GNSS Applications
RF MMIC SUB 3 GHZ
封裝外殼

6-XFDFN
文件大小

791.38 Kbytes
頁面數(shù)量

13 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-7 23:00:00

BGA125N6E6327XTSA1規(guī)格書詳情

BGA125N6E6327XTSA1屬于RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BGA125N6E6327XTSA1射頻放大器在射頻應(yīng)用中，射頻放大器產(chǎn)品可用于信號(hào)增益和緩沖。這些產(chǎn)品與通用運(yùn)算放大器的不同之處在于，它們通常適用于更高的頻率，更傾向于提供不可調(diào)節(jié)的固定增益，并且輸入或輸出阻抗值符合常用傳輸線特性阻抗。

1 Features

 Operation frequencies: 1164 to 1300 MHz

 Ultra low current consumption: 1.3 mA

 Wide supply voltage range: 1.1 V to 2.8 V

 High insertion power gain: 20.0 dB

 Low noise figure: 0.80 dB

 2 kV HBM ESD protection (inluding AI pin)

 Only one external matching component needed

 Ultra small TSNP-6-2 leadless package (footprint: 0.7 x 1.1mm2)

 RoHS/WEEE compliant package

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BGA125N6E6327XTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝：

    托盤

  • 頻率：

    1.164GHz ~ 1.3GHz

  • P1dB：

    -12dBm

  • 增益：

    22.2dB

  • 噪聲系數(shù)：

    0.8dB

  • 射頻類型：

    北斗，Galileo，GLONASS，GPS

  • 電壓 - 供電：

    1.1V ~ 3.3V

  • 電流 - 供電：

    1.45mA

  • 測(cè)試頻率：

    1.164GHz ~ 1.3GHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    6-XFDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TSNP-6-2

  • 描述：

    RF MMIC SUB 3 GHZ

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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