BG3430R 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 INFINEON/英飛凌

BG3430R參考圖片

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號:BG3430R品牌:INFINEON/英飛凌

原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢

BG3430R是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商INFINEON/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝SOT-363/6-VSSOP,SC-88,SOT-363的BG3430R晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號:

    BG3430R

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    11 頁

  • 文件大?。?/span>

    548.31 kb

  • 資料說明:

    DUAL N-Channel MOSFET Tetrode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    BG3430RH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    2 N-通道(雙)

  • 頻率:

    800MHz

  • 增益:

    25dB

  • 額定電流(安培):

    25mA

  • 噪聲系數(shù):

    1.3dB

  • 封裝/外殼:

    6-VSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供應商器件封裝:

    PG-SOT363-PO

  • 描述:

    MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

供應商

  • 企業(yè):

    深圳廊盛科技有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    李小姐

  • 手機:

    18229386512

  • 詢價:
  • 電話:

    18229386512

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強北街道上步工業(yè)區(qū)501棟410室