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BG3123分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BG3123
廠商型號

BG3123

參數(shù)屬性

BG3123 封裝/外殼為6-VSSOP,SC-88,SOT-363;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產品描述:MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

功能描述

DUAL N-Channel MOSFET Tetrode
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

文件大小

183.61 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-6 11:19:00

BG3123規(guī)格書詳情

BG3123屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產的BG3123晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    BG3123H6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    2 N-通道(雙)

  • 頻率:

    800MHz

  • 增益:

    25dB

  • 額定電流(安培):

    25mA,20mA

  • 噪聲系數(shù):

    1.8dB

  • 封裝/外殼:

    6-VSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供應商器件封裝:

    PG-SOT363-PO

  • 描述:

    MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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