BFU530W分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BFU530W |
| 參數屬性 | BFU530W 封裝/外殼為SC-70，SOT-323；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產品描述：RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 |
| 功能描述 | NPN Wideband Silicon RF Transistor |
| 封裝外殼 | SC-70，SOT-323 |
| 文件大小 |
200.33 Kbytes |
| 頁面數量 |
2 頁 |
| 生產廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
| 中文名稱 | 無錫固電半導體股份有限公司官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-28 15:03:00 |
BFU530W規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
· Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 12V(Min.)
· Low Noise, High Breakdown RF Transistor
APPLICATIONS
· Applications Requiring High Supply Voltages And High Breakdown Voltages
· Low Noise Amplifiers For ISM Applications
產品屬性
- 產品編號：
BFU530WX
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
12V
- 頻率 - 躍遷：
11GHz
- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）：
0.6dB @ 900MHz
- 增益：
18.5dB
- 功率 - 最大值：
450mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 10mA，8V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
40mA
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SC-70，SOT-323
- 供應商器件封裝：
SC-70
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
23+ |
NA |
6000 |
原裝現貨訂貨價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
NXP |
23+ |
TSSOP |
7300 |
專注配單,只做原裝進口現貨 |
詢價 | ||
NXP |
23+ |
TSSOP |
7300 |
專注配單,只做原裝進口現貨 |
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PHS |
2021+ |
SMD |
100500 |
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SOT363 |
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NXP(恩智浦) |
22+ |
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6000 |
原廠原裝現貨 |
詢價 |
