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BFU520分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BFU520
廠商型號(hào)

BFU520

參數(shù)屬性

BFU520 封裝/外殼為TO-253-4,TO-253AA;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

封裝外殼

TO-253-4,TO-253AA

文件大小

302.81 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無(wú)錫固電

中文名稱

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-13 23:00:00

BFU520規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 10V(Min.)

·Complement to Type BFU520

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFU520VL

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    10.5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.1dB @ 1.8GHz

  • 增益:

    17.5dB

  • 功率 - 最大值:

    450mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 5mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-253-4,TO-253AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-143B

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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