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BFS540	文件：115 Kbytes Page：11 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT323envelope. ItisintendedforRFwidebandamplifierapplicationssuchassatelliteTVsystemsandRFportablecommunicationequipmentwithsignalfrequenciesupto2GHz. FEATURES ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFS540	文件：253 Kbytes Page：7 Pages	LowNoiseFigure DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,lc=10mA,f=900MHz ?HighCurrent-Gain—BandwidthProduct fT=9GHzTYP.@VCE=8V,lc=40mA,f=1GHz APPLICATIONS ?DesignedforRFwidebandamplifierapplicationssuchas satelliteTVsystemsandRFportable	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFS540	文件：81.52 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,lc=10mA,f=900MHz ?HighCurrent-Gain—BandwidthProduct fT=9GHzTYP.@VCE=8V,lc=40mA,f=1GHz APPLICATIONS ?DesignedforRFwidebandamplifierapplicationssuchas satelliteTVsystemsandRFportable	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BFS540	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFU540	文件：102.72 Kbytes Page：16 Pages	NPNSiGewidebandtransistor DESCRIPTION NPNSiGewidebandtransistorforlowvoltageapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Rpackage. FEATURES ?Veryhighpowergain ?Verylownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Emitteristhermallead ?Lowfeedbackcapacitance ?45GHzSiGeprocess. APPLICATI	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BGB540	文件：724.48 Kbytes Page：24 Pages	A35dBGain-SlopedLNBI.F.AmplifierforDirectBroadcastSatelliteTelevisionApplicationsusingtheBGA430&BGB540SiliconMMICs Description TheBGA430isabroadbandhighgainamplifierbaseduponInfineonTechnologies’SiliconBipolarTechnologyB6HF.HousedinasmallSOT363packagethisSiliconMonolithicMicrowaveIntegratedCircuit(MMIC)requiresveryfewexternalcomponentsduetotheintegratedbiasingconcept.	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BGB540	文件：129.669 Kbytes Page：10 Pages	ActiveBiasedRFTransistor Description SIEGET?-45NPNTransistorwithintegratedbiasingforhighgainlownoisefigureapplications.ICcanbecontrolledusingIBiasaccordingtoIC=10*IBias. Features ?Gms=18dBat1.8GHz ?SmallSOT343package ?Currenteasyadjustablebyanexternalresistor ?Opencollectoroutpu	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BGB540LNA	文件：118.32 Kbytes Page：6 Pages	BGB540asa1.85GHzLowNoiseAmplifier BGB540asa1.85GHzLowNoiseAmplifier	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BO540W	文件：218.92 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYRECTIFIERVOLTAGE40VoltsCURRENT500mAmpers	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BRUS540	文件：61.25 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERY4to6AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISPCBOARDMOUNTING	edi Electronic devices inc.	edi
C540	文件：405.25 Kbytes Page：1 Pages	250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features ?SingleOutput ?3Ux21(24)TEx166.5mm(24TEfor5Voutputs) ?Weight1.7kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C540U	文件：427.16 Kbytes Page：65 Pages	8-BitCMOSMicrocontroller AdvanceInformation ?Enhanced8-bitC500CPU –Fullsoftware/toolsetcompatibletostandard80C51/80C52microcontrollers ?12MHzexternaloperatingfrequency –500nsinstructioncycle ?Built-inPLLforUSBsynchronization ?On-chipOTPprogrammemory –C540U:4Kbyte –C54	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
C540U	文件：1.61405 Mbytes Page：200 Pages	8-BitCMOSMicrocontroller	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
CDBA540-G	文件：97.96 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBA540-HF	文件：97.94 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBAS540-HF	文件：470.24 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers -Built-instrainrelief. -Metalsiliconjunctionwithguardring. Features -Siliconepitaxialplanarchips. -Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters freewheelingandpolarityprotection. -Highsurgeandcurrentcapability.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBB540-G	文件：163.32 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBB540-G	文件：96.16 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBB540-HF	文件：96.08 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBC540	文件：83.65 Kbytes Page：2 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifier	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
BFR540,235
功能描述：
射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 15V 120mA 500mW 100 9GHz
RoHS：
否
制造商：
NXP Semiconductors
配置：
Single
晶體管極性：
NPN
最大工作頻率：
7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
15 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
2 V
集電極連續(xù)電流：
0.15 A
功率耗散：
1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe
最大工作溫度：
+ 150 C
封裝/箱體：
SOT-223
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多BFR540,235供應(yīng)商更新時間2024-12-26 9:45:00

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