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BFM540	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFP540	文件：159.89 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forhighestgainandlownoiseamplifier ?OutstandingGms=21.5dBat1.8GHzMinimumnoisefigureNFmin=0.9dBat1.8GHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisibleleads ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540	文件：548.51 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540	文件：578.51 Kbytes Page：10 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540ESD	文件：228.29 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?ForESDprotectedhighgainlownoiseamplifier ?HighESDrobustness typicalvalue1000V(HBM) ?OutstandingGms=21.5dB@1.8GHz MinimumnoisefigureNFmin=0.9dB@1.8GHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackage withvi	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540ESD	文件：602.67 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540ESD	文件：628.47 Kbytes Page：9 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540F	文件：189.37 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ?Forhighestgainlownoiseamplifierat1.8GHz ?OutstandingGms=20dB NoiseFigureF=0.9dB ?Goldmetallizationforhighreliability ?SIEGET45-Line	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540FESD	文件：112.56 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconRFTransisto NPNSiliconRFTransistor* ?ForESDprotectedhighgainlownoiseamplifier ?ExcellentESDperformancetypicalvalue1000V(HBM) ?OutstandingGms=20dB NoiseFigureF=0.9dB ?SIEGET?45-Line ?Pb-free(ROHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdesc	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540FESD	文件：504.48 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540FESD	文件：538.44 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFQ540	文件：71.68 Kbytes Page：8 Pages	NPNwidebanddualtransistor DESCRIPTION NPNwidebandtransistorinaSOT89 plasticpackage. FEATURES ?Highgain ?Highoutputvoltage ?Lownoise ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability ?Lowthermalresistance. APPLICATIONS ?VHF,UHFandCATVamplifiers.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFQ540	文件：238.35 Kbytes Page：8 Pages	NPNwidebandtransistor DESCRIPTION NPNwidebandtransistorinaSOT89plasticpackage. FEATURES ?Highgain ?Highoutputvoltage ?Lownoise ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability ?Lowthermalresistance. APPLICATIONS ?VHF,UHFandCATVamplifiers.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFQ540	文件：120.15 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·HighGain ·HighOutputVoltage ·LowNoise APPLICATIONS ·DesignedforuseinVHF,UHFandCATVamplifiers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFQ540	文件：77.86 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·HighGain ·HighOutputVoltage ·LowNoise APPLICATIONS ·DesignedforuseinVHF,UHFandCATVamplifiers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BFQ540	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFQ540	文件：244.53 Kbytes Page：8 Pages	NPNwidebandtransistor	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFR540	文件：101.87 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION TheBFR540isannpnsiliconplanarepitaxialtransistor,intendedforapplicationsintheRFfrontendinwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,satelliteTVtuners(SATV),MA	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFR540	文件：207.3 Kbytes Page：7 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ?HighPowerGain ?HighCurrentGainBandwidthProduct ?LowNoiseFigure APPLICATIONS ?DesignedforRFfrontendinwidebandapplicationsinthe GHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones, cordlesstelephones(CT1,CT2,DEC,etc.).	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFR540	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多BFM540供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-15 9:43:00

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