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BFM540

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

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恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BFP540

NPNSiliconRFTransistor

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forhighestgainandlownoiseamplifier ?OutstandingGms=21.5dBat1.8GHzMinimumnoisefigureNFmin=0.9dBat1.8GHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisibleleads ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available

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LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor

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BFP540ESD

NPNSiliconRFTransistor

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?ForESDprotectedhighgainlownoiseamplifier ?HighESDrobustness typicalvalue1000V(HBM) ?OutstandingGms=21.5dB@1.8GHz MinimumnoisefigureNFmin=0.9dB@1.8GHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackage withvi

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BFP540F

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor ?Forhighestgainlownoiseamplifierat1.8GHz ?OutstandingGms=20dB NoiseFigureF=0.9dB ?Goldmetallizationforhighreliability ?SIEGET45-Line

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NPNSiliconRFTransisto

NPNSiliconRFTransistor* ?ForESDprotectedhighgainlownoiseamplifier ?ExcellentESDperformancetypicalvalue1000V(HBM) ?OutstandingGms=20dB NoiseFigureF=0.9dB ?SIEGET?45-Line ?Pb-free(ROHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdesc

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更多BFM540供應(yīng)商 更新時間2025-2-19 13:51:00

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