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BFG480分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG480
廠商型號(hào)

BFG480

參數(shù)屬性

BFG480 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 4.5V 21GHZ CMPAK-4

功能描述

NPN wideband transistor

文件大小

160.23 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-29 12:12:00

BFG480規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN double polysilicon wideband transistor with buried layer for low voltage applications in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package.

FEATURES

? High power gain

? High efficiency

? Low noise figure

? High transition frequency

? Emitter is thermal lead

? Low feedback capacitance

? Linear and non-linear operation.

APPLICATIONS

? RF front end with high linearity system demands (CDMA)

? Common emitter class AB driver.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFG480W,135

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    4.5V

  • 頻率 - 躍遷:

    21GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz

  • 增益:

    16dB

  • 功率 - 最大值:

    360mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 80mA,2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    250mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CMPAK-4

  • 描述:

    RF TRANS NPN 4.5V 21GHZ CMPAK-4

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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