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BFG10W/X分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG10W/X
廠商型號

BFG10W/X

參數(shù)屬性

BFG10W/X 封裝/外殼為SOT-343 反向插針;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO

功能描述

UHF power transistor

封裝外殼

SOT-343 反向插針

文件大小

259.829 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-21 22:58:00

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BFG10W/X規(guī)格書詳情

FEATURES

? High efficiency

? Small size discrete power amplifier

? 900 MHz and 1.9 GHz operating

areas

? Gold metallization ensures

excellent reliability.

APPLICATIONS

? Common emitter class-AB

operation in hand-held radio

equipment up to 1.9 GHz.

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial transistor

encapsulated in a plastic, 4-pin

dual-emitter SOT343N package.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BFG10W/X,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    10V

  • 頻率 - 躍遷:

    1.9GHz

  • 功率 - 最大值:

    400mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 50mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    250mA

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-343 反向插針

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    4-SO

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP
2016+
SOT-343
3400
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