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BF904A	文件：308.77 Kbytes Page：15 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904A	文件：114.5 Kbytes Page：16 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF904A	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904AR	文件：308.77 Kbytes Page：15 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904AR	文件：114.5 Kbytes Page：16 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF904AR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904AWR	文件：114.5 Kbytes Page：16 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF904AWR	文件：308.77 Kbytes Page：15 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904AWR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904R	文件：303.6 Kbytes Page：14 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143BandSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904R	文件：111.29 Kbytes Page：16 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143BandSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF904R	文件：309.91 Kbytes Page：14 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904R	文件：309.91 Kbytes Page：14 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904WR	文件：119.77 Kbytes Page：12 Pages	N-channeldual-gateMOS-FET DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT343Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES ?Speciallyde	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BGD904	文件：74.28 Kbytes Page：12 Pages	CATVamplifiermodules DESCRIPTION HybridamplifiermodulesinaSOT115Jpackageoperatingwithavoltagesupplyof24V(DC). Bothmodulesareelectricallyidenticalonlythepinningisdifferent. FEATURES ?Excellentlinearity ?Extremelylownoise ?Excellentreturnlossproperties ?Siliconnitridepassivatio	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BGD904	文件：330.75 Kbytes Page：11 Pages	860MHz,20dBgainpowerdoubleramplifier DESCRIPTION HybridamplifiermodulesinaSOT115Jpackageoperatingwithavoltagesupplyof24V(DC).Bothmodulesareelectricallyidentical,onlythepinningisdifferent. FEATURES ?Excellentlinearity ?Extremelylownoise ?Excellentreturnlossproperties ?Siliconnitridepassivatio	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BGD904L	文件：72.85 Kbytes Page：12 Pages	CATVamplifiermodule DESCRIPTION HybridamplifiermoduleinaSOT115Jpackageoperatingwithasupplyvoltageof24V. FEATURES ?Excellentlinearity ?Extremelylownoise ?Excellentreturnlossproperties ?Siliconnitridepassivation ?Ruggedconstruction ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BGD904MI	文件：74.28 Kbytes Page：12 Pages	CATVamplifiermodules DESCRIPTION HybridamplifiermodulesinaSOT115Jpackageoperatingwithavoltagesupplyof24V(DC). Bothmodulesareelectricallyidenticalonlythepinningisdifferent. FEATURES ?Excellentlinearity ?Extremelylownoise ?Excellentreturnlossproperties ?Siliconnitridepassivatio	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BGD904MI	文件：330.75 Kbytes Page：11 Pages	860MHz,20dBgainpowerdoubleramplifier DESCRIPTION HybridamplifiermodulesinaSOT115Jpackageoperatingwithavoltagesupplyof24V(DC).Bothmodulesareelectricallyidentical,onlythepinningisdifferent. FEATURES ?Excellentlinearity ?Extremelylownoise ?Excellentreturnlossproperties ?Siliconnitridepassivatio	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLV904	文件：131.09 Kbytes Page：16 Pages	UHFpowertransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialpowertransistorinan8-leadSOT409BSMDpackagewithceramiccap.Allleadsareisolatedfromthemountingbase. FEATURES ?Emitterballastingresistorsforoptimumtemperatureprofile ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability ?Internalinp	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BF904 T/R
功能描述：
射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE7 MOS-RFSS
RoHS：
否
制造商：
NXP Semiconductors
配置：
Dual Dual Gate
晶體管極性：
N-Channel 電阻汲極/源極
汲極/源極擊穿電壓：
6 V
閘/源擊穿電壓：
6 V
漏極連續(xù)電流：
30 mA
功率耗散：
180 mW
最大工作溫度：
+ 150 C
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
SC-88
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	BF904215	NXP	22+	SOT143B	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
深圳市芯福林電子科技有限公司	BF904215	NXP	21+	SOT143B	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳龐田科技有限公司	BF904215	NXP	2023+環(huán)?，F(xiàn)貨	原廠原裝	6000	專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù)	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	BF904215	NXP USA Inc.	24+	TO-253-4 TO-253AA	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	BF904A	PHILIPS	16+	SOT-143	3000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	BF904A	NXPSEMICO	23+	NA	3486	專做原裝正品,假一罰百!	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	BF904A		PHILIPS	SOT-143	68900	原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價(jià)
深圳市富芯樂電子科技有限公司	BF904A	NXP	22+	SOT143	6000	全新原裝品牌專營(yíng)	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	BF904A	PHI	2229+	SOT-23	35822	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	BF904A	PHI	23+	SOT-23	8560	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!	詢價(jià)

更多BF904 T/R供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-5 10:30:00

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