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NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor ?HighgainlownoiseRFtransistor ?Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications ?IdealforCDMAandWLANapplications ?OutstandingnoisefigureF=0.65dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.2dBat6GHz ? | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconGermaniumRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
LowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor ?HighgainlownoiseRFtransistor ?Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications ?IdealforCDMAandWLANapplications ?OutstandingnoisefigureF=0.65dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.2dBat6GHz ? | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor ?HighgainlownoiseRFtransistor ?Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications ?IdealforCDMAandWLANapplications ?OutstandingnoisefigureF=0.65dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.2dBat6GHz ? | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
RobustHighPerformanceLowNoiseBipolarRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
RobustLowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconGermaniumRFTransistor ProductBrief TheBFP640FislinearverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCE=4.1VandcurrentsuptoIC=50mA | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconGermaniumRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
LowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
RobustLowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor ProductBrief TheBFP640FESDisaverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.1VandcurrentsuptoIC=50mA. | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●HighgainlownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain:Gms24dBat1.8GHz ●NoisefigureF=0.8dBat1.8GHz NoisefigureF=1.1dBat6GHz ●Hermeticallysealedmicrowavepackage | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●HighgainlownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain:Gms24dBat1.8GHz ●NoisefigureF=0.8dBat1.8GHz NoisefigureF=1.1dBat6GHz ●Hermeticallysealedmicrowavepackage | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
N-channelEnhancementModePowerMOSFET | BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海貝嶺上海貝嶺股份有限公司 | Belling | ||
N-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage | FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司 | FOSHAN | ||
ULTRA-FASTRECOVERY8AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISP.C.BOARDMOUNTING | edi Electronic devices inc. | edi | ||
500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features ?SingleOutput ?3Ux42TEx166.5mm ?Weight:3.5kg | POWERBOX Powerbox manufactures | POWERBOX | ||
AluminumElectrolyticCapacitors | KEMETKEMET Corporation 基美基美公司 | KEMET | ||
ChipSchottkyBarrierRectifier | COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司 | COMCHIP | ||
SchottkyBarrierRectifiers Features -Metalsiliconjunction,majorcarrierconduction. -6Atotal(3Aperdiodeleg). -Guardingforovervoltageprotection. -Lowpowerloss,highefficiency. -Excellentpowerdissipationoffersbetterreverse leakagecurrentandthermalresistance. -LowProfilesurfacemountappl | COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司 | COMCHIP |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
甚高頻 （VHF）_超高頻/特高頻 （UHF）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
- 最大電流允許值：
- 最大工作頻率：
650MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BF272,BF316,BF372,BF516,BF576,BF606,BFR38,3CG16D,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
C-62
- vtest：
0
- htest：
650000000
- atest：
0
- wtest：
0
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHILIPS |
23+ |
CAN |
1625 |
優(yōu)勢庫存 |
詢價 | ||
MOT/ST/PH |
2339+ |
CAN3 |
21322 |
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APFEL |
DIP-64 |
35560 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
APFEL |
24+ |
DIP-64 |
608900 |
一站配齊 原盒原包現(xiàn)貨 朱S Q2355605126 |
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APFEL |
23+ |
20000 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳 |
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APFEL |
2023+ |
www.wellsconn.com |
8700 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
APFEL |
2008 |
NA |
50 |
深圳現(xiàn)貨,原裝正品,實單可談,支持實單, |
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APFELINC |
23+ |
原廠封裝 |
5177 |
現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
POWER |
24+ |
949 |
詢價 | ||||
P |
23+ |
TO-220 |
55 |
詢價 |
