BF1101WR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
BF1101WR |
| 參數(shù)屬性 | BF1101WR 封裝/外殼為SC-82A，SOT-343；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R |
| 功能描述 | N-channel dual-gate MOS-FETs |
| 封裝外殼 | SC-82A，SOT-343 |
| 文件大小 |
128.13 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
16 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Philips【飛利浦】 |
| 中文名稱 | 荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-19 8:58:00 |
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DESCRIPTION
Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1101, BF1101R and BF1101WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic packages respectively.
FEATURES
? Short channel transistor with high
forward transfer admittance to input
capacitance ratio
? Low noise gain controlled amplifier
up to 1 GHz
? Partly internal self-biasing circuit to
ensure good cross-modulation
performance during AGC and good
DC stabilization.
APPLICATIONS
? VHF and UHF applications with
3 to 7 V supply voltage, such as
television tuners and professional
communications equipment.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
BF1101WR,135
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
管件
- 晶體管類型：
N 通道雙門
- 頻率：
800MHz
- 額定電流（安培）：
30mA
- 噪聲系數(shù)：
1.7dB
- 封裝/外殼：
SC-82A，SOT-343
- 供應(yīng)商器件封裝：
CMPAK-4
- 描述：
MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
24+ |
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