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BDX88 | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·HighDCCurrentGain- :hFE=750(Min)@IC=-6A ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-45V(Min)-BDX88;-60V(Min)-BDX88A -80V(Min)-BDX88B;-100V(Min)-BDX88C ·ComplementtoTypeBDX87/A/B/C APPLICATIONS ·Designed | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | |
BDX88 | Power Transistors DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6674,2N6675typesareNPNSiliconTripleDiffusedMesaPowerTransistorsdesignedforhighvoltageswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體 | Central | |
BDX88 | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | |
BDX88 | Silicon PNP Darlington Power Transistor | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
Power Transistors DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6674,2N6675typesareNPNSiliconTripleDiffusedMesaPowerTransistorsdesignedforhighvoltageswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體 | Central | ||
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·HighDCCurrentGain- :hFE=750(Min)@IC=-6A ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-45V(Min)-BDX88;-60V(Min)-BDX88A -80V(Min)-BDX88B;-100V(Min)-BDX88C ·ComplementtoTypeBDX87/A/B/C APPLICATIONS ·Designed | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | ||
Power Transistors DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6674,2N6675typesareNPNSiliconTripleDiffusedMesaPowerTransistorsdesignedforhighvoltageswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體 | Central | ||
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·HighDCCurrentGain- :hFE=750(Min)@IC=-6A ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-45V(Min)-BDX88;-60V(Min)-BDX88A -80V(Min)-BDX88B;-100V(Min)-BDX88C ·ComplementtoTypeBDX87/A/B/C APPLICATIONS ·Designed | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | ||
Power Transistors DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6674,2N6675typesareNPNSiliconTripleDiffusedMesaPowerTransistorsdesignedforhighvoltageswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體 | Central | ||
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheBDX87Cisasiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationandaremountedinJedecTO-3metalcase.Theyareintentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesistheBDX88C. ■SGS-THOMSONPREFER | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團 | STMICROELECTRONICS |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質：
低頻或音頻放大 （LF）_開關管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
12A
- 最大工作頻率：
35MHZ
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
BDX66,MJ4030,TIP645,2N6050,
- 最大耗散功率：
120W
- 放大倍數(shù)：
β>1000
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
100
- htest：
35000000
- atest：
12
- wtest：
120
詳細參數(shù)
- 型號：
BDX88
- 制造商：
ISC
- 制造商全稱：
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述：
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
ST |
1738+ |
TO-3 |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
ISC |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
ST |
22+ |
TO-3 |
66900 |
原廠原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
TO-3 |
16900 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
SGS |
23+ |
20000 |
正品原裝貨價格低 |
詢價 | |||
ST |
21+ |
TO-3 |
23480 |
詢價 | |||
ST |
24+ |
TO-3 |
16900 |
支持樣品,原裝現(xiàn)貨,提供技術支持! |
詢價 | ||
ST |
專業(yè)鐵帽 |
TO-3 |
500 |
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨 |
詢價 | ||
ST |
專業(yè)鐵帽 |
TO-3 |
67500 |
鐵帽原裝主營-可開原型號增稅票 |
詢價 |
