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BDW84C

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-3PNpackage ?ComplementtotypeBDW83/83A/83B/83C/83D ?DARLINGTON ?HighDCcurrentgain APPLICATIONS ?Foruseinpowerlinearandswitching applications.

SAVANTIC

Savantic, Inc.

BDW84C

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·ComplementtotypeBDW83/83A/83B/83C/83D ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain APPLICATIONS ·Foruseinpowerlinearandswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BDW84C

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PRODUCTINFORMATION Informationiscurrentasofpublicationdate.ProductsconformtospecificationsinaccordancewiththetermsofPowerInnovationsstandardwarranty.Productionprocessingdoesnotnecessarilyincludetestingofallparameters. ●DesignedforComplementaryUsewithBDW

POINN

Power Innovations Ltd

BDW84C

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

DESCRIPTION TheBDW83CisaSiliconEpitaxial-BaseNPNpowermonolithicDarlingtontransistormountedinJedecTO-218plasticpackage.Itisintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementarytypeisBDW84C. ■BDW83CISASTMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPE ■COM

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

BDW84C

PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS

PNPSILICONDARLINGTONSPOWERTRANSISTORS Theyaresiliconepitaxial-basePNPpowermonolithicDarlingtontransistormountedinJedecTO-3PNplasticpackage. Theyareintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryareBDW83,BDW83A,BDW83B,BDW83C,BDW83D Compli

COMSET

Comset Semiconductor

BDW84C

PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS

PNPSILICONDARLINGTONSPOWERTRANSISTORS Theyaresiliconepitaxial-basePNPpowermonolithicDarlingtontransistormountedinJedecTO-3PNplasticpackage. Theyareintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryareBDW83,BDW83A,BDW83B,BDW83C,BDW83D Compli

COMSET

Comset Semiconductor

BDW84C

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?CollectorCurrent-lc=-15A ?HighDCCurrentGain-hFE=750(Min)@lc=-6A ?ComplementtoTypeBDW83/A/B/C APPLICATIONS ?Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeed switchingapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BDW84C

Silicon PNP Power Transistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

BDW84C

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯伯恩斯（邦士）

BDW84C

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

BDW84C

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

BDW84C

包裝：散裝 封裝/外殼：TO-218-3 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 100V 15A TO218

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

BDW84C

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-218-3，TO-218AC 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP DARL 100V 15A TO218-3

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

BDW84C-S

包裝：管件 封裝/外殼：TO-218-3 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP DARL 100V 15A SOT93

Bourns Inc.

Bourns Inc.

Bourns Inc.

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    BDW84C

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    15A

  • 最大工作頻率：

    >1MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BDV64B,BDV66A,

  • 最大耗散功率：

    150W

  • 放大倍數(shù)：

    β>750

  • 圖片代號(hào)：

    B-62

  • vtest：

    100

  • htest：

    1000100

  • atest：

    15

  • wtest：

    150

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BDW84C

  • 制造商：

    Central Semiconductor Corp

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類(lèi)型：

    PNP

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    750 @ 6A，3V

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-218-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-218

  • 描述：

    TRANS PNP 100V 15A TO218

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
PH
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更多BDW84C供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-18 16:30:00

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