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BDV64C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BDV64C
廠商型號(hào)

BDV64C

參數(shù)屬性

BDV64C 封裝/外殼為TO-218-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 120V 12A SOT93

功能描述

PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS

封裝外殼

TO-218-3

文件大小

77.75 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Comset Semiconductor
企業(yè)簡稱

COMSET

中文名稱

Comset Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-29 14:10:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    BDV64C

  • 別名:

    BDV64C三極管、BDV64C晶體管、BDV64C晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    120V

  • 最大電流允許值:

    12A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BDV66C,BDW84D,

  • 最大耗散功率:

    125W

  • 放大倍數(shù):

    β>1000

  • 圖片代號(hào):

    B-70

  • vtest:

    120

  • htest:

    999900

  • atest:

    12

  • wtest:

    125

BDV64C規(guī)格書詳情

PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS

They are silicon epitaxial base transistors mounted in TO-3PN.

Theyare designed for audio output stages and general amplifier and switching applications.

complementary is BDV65-A-B-C

Compliance to RoHS.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BDV64C-S

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    2V @ 20mA,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    2mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 5A,4V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-218-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-93

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 120V 12A SOT93

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
BOURNS
23+
330
詢價(jià)
ST
23+
TO-247
3000
全新原裝
詢價(jià)
24+
TO-3PN
10000
全新
詢價(jià)
ST
22+
TO-3P
6000
十年配單,只做原裝
詢價(jià)
INFINEON
24+
SOT-343
260000
公司現(xiàn)貨庫存,支持實(shí)單
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NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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