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BDT60F

isc Silicon PNP Darlington Power Transistors

DESCRIPTION ·DCCurrentGain-hFE=750(Min)@IC=-1.5A ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-60V(Min)-BDT60F;-80V(Min)-BDT60AF -100V(Min)-BDT60BF;-120V(Min)-BDT60CF ·ComplementtoTypeBDT61F/61AF/61BF/61CF APPLICATIONS ·D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BDT60F

Silicon PNP Darlington Power Transistors

DESCRIPTION ?DCCurrentGain-hFE=750(Min)@IC=-1.5A ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEo(sus)=-60V(Min)-BDT60F;-SOV(Min)-BDT60AF -100V(Min)-BDT60BF;-120V(Min)-BDT60CF ?ComplementtoTypeBDT61F/

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào):

    BDT60F

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    4A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BD646F,BD778,2SB1223,2SB1257,2SB1342,

  • 最大耗散功率:

    17W

  • 放大倍數(shù):

    β>750

  • 圖片代號(hào):

    B-89

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    4

  • wtest:

    17

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    BDT60F

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全稱:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    isc Silicon PNP Darlington Power Transistors

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多BDT60F供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-18 16:00:00