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BDT60B

Complement to Type BDT61/A/B/C

DESCRIPTION ·DCCurrentGain-hFE=750(Min)@IC=-1.5A ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-60V(Min)-BDT60;-80V(Min)-BDT60A; -100V(Min)-BDT60B;-120V(Min)-BDT60C ·ComplementtoTypeBDT61/A/B/C APPLICATIONS ·Designedforuseinaudi

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BDT60B

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ?DesignedforComplementaryUsewithBDT60,BDT60A,BDT60BandBDT60C ?50Wat25°CCaseTemperature ?4AContinuousCollectorCurrent ?MinimumhFEof750at1.5V,3A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BDT60B

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBDT61,BDT61A,BDT61BandBDT61C ●50Wat25°CCaseTemperature ●4AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at1.5V,3A

POINN

Power Innovations Ltd

BDT60B

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBDT61,BDT61A,BDT61BandBDT61C ●50Wat25°CCaseTemperature ●4AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at1.5V,3A

TRSYS

Transys Electronics

BDT60B

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯伯恩斯（邦士）

BDT60BF

isc Silicon PNP Darlington Power Transistors

DESCRIPTION ·DCCurrentGain-hFE=750(Min)@IC=-1.5A ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-60V(Min)-BDT60F;-80V(Min)-BDT60AF -100V(Min)-BDT60BF;-120V(Min)-BDT60CF ·ComplementtoTypeBDT61F/61AF/61BF/61CF APPLICATIONS ·D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BDT60BF

Silicon PNP Darlington Power Transistors

DESCRIPTION ?DCCurrentGain-hFE=750(Min)@IC=-1.5A ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEo(sus)=-60V(Min)-BDT60F;-SOV(Min)-BDT60AF -100V(Min)-BDT60BF;-120V(Min)-BDT60CF ?ComplementtoTypeBDT61F/

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BDT60B-S

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP DARL 100V 4A TO220

Bourns Inc.

Bourns Inc.

Bourns Inc.

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    BDT60B

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開(kāi)關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    4A

  • 最大工作頻率：

    >10MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BD682,BDW24C,BDW54C,BDW64C,TIP117,

  • 最大耗散功率：

    50W

  • 放大倍數(shù)：

    β>750

  • 圖片代號(hào)：

    B-89

  • vtest：

    100

  • htest：

    10000100

  • atest：

    4

  • wtest：

    50

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BDT60B

  • 功能描述：

    達(dá)林頓晶體管 50W 4A PNP

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 配置：

    Octal

  • 晶體管極性：

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流：

    0.5 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOIC-18

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
24+
TO-220
10000
全新
 詢價(jià)
ST
17+
TO-220
6200
詢價(jià)
BOURNS
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
ST
2023+
TO-220
80000
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-252(D
69820
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!
 詢價(jià)
ST/意法
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
ST
22+
TO-220
6000
十年配單,只做原裝
 詢價(jià)
N/A
23+
SMD
5177
現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ST
22+
TO-220
16900
支持樣品 原裝現(xiàn)貨 提供技術(shù)支持!
 詢價(jià)
ST
22+
TO-220
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價(jià)
更多BDT60B供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-26 16:00:00

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