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BDP949分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BDP949
廠商型號(hào)

BDP949

參數(shù)屬性

BDP949 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 60V 3A SOT223-4

功能描述

NPN Silicon AF Power Transistors (For AF drivers and output stages High collector current High current gain)

封裝外殼

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

40.25 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡稱

SIEMENS西門子

中文名稱

德國西門子股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-9 20:00:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    BDP949

  • 別名:

    BDP949三極管、BDP949晶體管、BDP949晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)_低頻或音頻放大 (LF)_TR

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    100MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BDP951,BDP953,BDP955,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    H-99

  • vtest:

    60

  • htest:

    100000000

  • atest:

    3

  • wtest:

    0

BDP949規(guī)格書詳情

NPN Silicon AF Power Transistors

? For AF drivers and output stages

? High collector current

? High current gain

? Low collector-emitter saturation voltage

? Complementary type: BDP948, BDP950 (PNP)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BDP949H6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 200mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT223-4-10

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 3A SOT223-4

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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