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MJ16110	文件：414.65 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconPowerTransistors ...specificallydesignedforuseinhalfbridgeandfullbridgeofflineconverters. ?ExcellentDynamicSaturationCharacteristics ?RuggedRBSOACapability ?Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)—400V ?Collector–EmitterBreakdown—V(BR)CES—650V ?State–of–ArtBipolarP	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI

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供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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