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BD898 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewith BD895,BD897,BD899andBD901 ●70Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A | POINN Power Innovations Ltd | POINN | |
BD898 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewith BD895,BD897,BD899andBD901 ●70Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A | TRSYS Transys Electronics | TRSYS | |
BD898 | SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforuseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD895-BD897-BD89 | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
BD898 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS | BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯 | Bourns | |
BD898 | Silicon PNP Power Transistors | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | |
PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD895A,BD897AandBD899A ●70Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A | POINN Power Innovations Ltd | POINN | ||
Silicon PNP Power Transistors SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD895A/897A/901A ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifier,andanalogueswitching applications | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | ||
Silicon PNP Power Transistors SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD895A/897A/901A ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifier,andanalogueswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | ||
包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP DARL 60V 8A TO220 | Bourns Inc. Bourns Inc. | Bourns Inc. | ||
包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP DARL 60V 8A TO220 | Bourns Inc. Bourns Inc. | Bourns Inc. | ||
UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A900WLDMOSRFpowertransistorforbroadcastDoherty,classABtransmitterand ISMapplications.Theexcellentruggednessofthisdevicemakesitidealfordigitaland analogtransmitterapplications. Featuresandbenefits ?DesignedforsymmetricandasymmetricDoherty | AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆 | Ampleon | ||
UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A900WLDMOSRFpowertransistorforbroadcastDoherty,classABtransmitterand ISMapplications.Theexcellentruggednessofthisdevicemakesitidealfordigitaland analogtransmitterapplications. Featuresandbenefits ?DesignedforsymmetricandasymmetricDoherty | AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆 | Ampleon | ||
UHFlinearpowertransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanartransistorinaSOT171A6-leadrectangularflangepackage,withaceramiccap.ThetransistordeliversaPosync=3Winclass-Aoperationat860MHzandasupplyvoltageof25V. FEATURES ?Internalinputmatchingforwidebandoperationandhighpowerga | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
RFPOWERTRANSISTORNPNSILICON TheRFLine NPNSilicon RFPowerTransistor ...designedfor24VoltUHFlarge–signal,commonbaseamplifierapplicationsinindustrialandcommercialFMequipmentoperatingintherangeof850–960MHz. ?MotorolaAdvancedAmplifierConceptPackage ?Specified24Volt,900MHzCharacteristi | MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | ||
NPNRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF898isaCommonBaseDeviceDesignedforFMAmplifierApplicationsinthe800to960MHzCommunicationsBand. FEATURESINCLUDE: ?Input/OutputMatching ?GoldMetallization ?EmitterBallasting | ASI Advanced Semiconductor | ASI | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features Pb?Free,HalogenFreeandRoHScompliant. LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses. OhmicRegionGoodRDS(on)Ratio. OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses. Applications ProtectionCircuitsApplications. ComputerforDCtoDCConvertersApplications. | NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司 | NIKOSEM | ||
VectronInternationalFilterspecification | Vectron Vectron International, Inc | Vectron |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
8A
- 最大工作頻率：
>1MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BD646,BD698,BDW74A,BDX34A,BDX54A,FC75B,
- 最大耗散功率：
70W
- 放大倍數(shù)：
β>750
- 圖片代號：
B-10
- vtest：
60
- htest：
1000100
- atest：
8
- wtest：
70
詳細參數(shù)
- 型號：
BD898
- 功能描述：
達林頓晶體管 70W PNP Silicon
- RoHS：
否
- 制造商：
Texas Instruments
- 配置：
Octal
- 晶體管極性：
NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
50 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
集電極—基極電壓
- 最大直流電集電極電流：
0.5 A
- 最大工作溫度：
+ 150 C
- 安裝風格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
SOIC-18
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
BOURNS |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
ST/PHI |
1738+ |
TO-220 |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
ON |
2023+ |
TO-220 |
80000 |
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-220 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價 | ||
BOURNS/伯恩斯 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
BOURNS/伯恩斯 |
2022 |
TO-220 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
2022+ |
TO-220 |
12888 |
原廠代理 終端免費提供樣品 |
詢價 | ||
BOURNS |
TO-220 |
68900 |
原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價 | |||
BOURNS/伯恩斯 |
23+ |
TO220 |
5000 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳 |
詢價 |
