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BD744B-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 80V 15A TO220	Bourns Inc. Bourns Inc.	Bourns Inc.
BD744C	文件：101.29 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?ComplementtotypeBD743/A/B/C ?Highcurrentcapability ?Highpowerdissipation APPLICATIONS ?Foruseinpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD744C	文件：113.91 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BD744C	文件：87.56 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONPOWERTRANSISTORS PNPSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD743Series ●90Wat25°CCaseTemperature ●15AContinuousCollectorCurrent ●20APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	POINN Power Innovations Ltd	POINN
BD744C	文件：107.45 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPOWERTRANSISTORS	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
BD744C	文件：102.88 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD744C	文件：131.97 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BUF744	文件：133.95 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNPNHighVoltageSwitchingTransistor Features ●Simple-sWitch-OffTransistor(SWOT) ●HIGHSPEEDtechnology ●Planarpassivation ●100kHzswitchingrate ●Verylowswitchinglosses ●Verylowdynamicsaturation ●Verylowoperatingtemperature ●OptimizedRBSOA ●Highreversevoltage Applications Electroniclampballas	Temic TEMIC Semiconductors	Temic
DRA744	文件：7.5583 Mbytes Page：443 Pages	DRA75x,DRA74xInfotainmentApplicationsProcessorSiliconRevision2.0	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
IPM-C744	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪訊美國JDSU	JDSU
IPM-L744	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪訊美國JDSU	JDSU
IRF744	文件：207.63 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRF International Rectifier	IRF
IRF744	文件：1.00282 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipatio	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF744PBF	文件：243.07 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRF International Rectifier	IRF
IRF744PBF	文件：1.00282 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipatio	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI744G	文件：1.74605 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI744G	文件：261.17 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=450V,Rds(on)=0.63ohm,Id=4.9A) DESCRIPTION ThirdGenerationPowerMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-ind	IRF International Rectifier	IRF
IRFI744GPBF	文件：1.74605 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI744GPBF	文件：995.98 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationPowerMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-ind	IRF International Rectifier	IRF
KBK-744	文件：40.05 Kbytes Page：2 Pages	BI-DIRECTIONALCOUPLERS BI-DIRECTIONALCOUPLERS	SYNERGY Synergy Microwave Corporation	SYNERGY

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
BD744B-S
制造商：
Bourns Inc.
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
管件
晶體管類型：
PNP
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
3V @ 5A，15A
電流 - 集電極截止（最大值）：
100μA
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 5A，4V
工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-220
描述：
TRANS PNP 80V 15A TO220

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	BD744B-S	BOURNSINC	23+	TO-220	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	BD744B-S	BOURNSINC	22+	TO-220	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	BD744B-S	Bourns	2022+	原廠原包裝	8600	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	BD744B-S	BOURNSINC	22+	TO-220	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	BD744B-S	BOURNSINC	24+	TO-TO-220	12300	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BD744C		24+	TO-220	10000	全新	詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	BD744C	ST	23+	TO-220	6500	絕對全新原裝!優(yōu)勢供貨渠道!特價(jià)!請放心訂購!	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	BD744C	ST	17+	TO-220	6200		詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	BD744C	BOURNS	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳誠思涵科技有限公司	BD744C	FSC	18+	TO-220	85600	保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票	詢價(jià)

更多BD744B-S供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-19 14:30:00

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