| 零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
BD743C | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?ComplementtotypeBD744/A/B/C ?Highcurrentcapability ?Highpowerdissipation APPLICATIONS ?Foruseinpowerlinearandswitchingapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
BD743C | isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?ComplementtotypeBD744/A/B/C ?Highcurrentcapability ?Highpowerdissipation APPLICATIONS ?Foruseinpowerlinearandswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
BD743C | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?ComplementtotypeBD744/A/B/C ?Highcurrentcapability ?Highpowerdissipation APPLICATIONS ?Foruseinpowerlinearandswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
BD743C | SILICON POWER TRANSISTORS SILICONPOWERTRANSISTORS TheBD743seriesareNPNpowertransistorsinaTO-220envelope. Theyareintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplication. Highcurrentcapabilityandhighpowerdissipation. PNPcomplementsareBD744-A-B-C CompliancetoRoHS. | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
BD743C | NPN SILICON POWER TRANSISTORS NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD744Series ●90Wat25°CCaseTemperature ●15AContinuousCollectorCurrent ●20APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable | POINN Power Innovations Ltd | POINN | |
BD743C | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士） | Bourns | |
BD743C | Silicon NPN Power Transistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
BD743C | Silicon NPN Power Transistor | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 100V 15A TO220 | Bourns Inc. Bourns Inc. | Bourns Inc. | ||
Highvoltagefast-switchingNPNpowertransistor Description Thedeviceismanufacturedusingthediffusedcollectorinplanartechnologyadoptingnewandenhancedhighvoltagestructure.Ithasanintrinsicruggednesswhichenablesthetransistortowithstandanhighcollectorcurrentlevelduringbreakdowncondition,withoutusingthetransil | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | ||
-200mA/-30VLowVCE(sat)Digitaltransistors(withbuilt-inresistors) Feature 1.VCE(sat)islowerthantheconventionalproducts. 2.Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeequivalentcircuit). 3.Thebiasresistorsconsistofthin-filmresistorswithcompleteisolationtoal | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM | ||
-200mA/-30VLowVCE(sat)Digitaltransistors(withbuilt-inresistors) | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM | ||
-200mA/-30VLowVCE(sat)Digitaltransistors(withbuilt-inresistors) | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM | ||
-200mA/-30VLowVCE(sat)Digitaltransistors(withbuilt-inresistors) Feature 1.VCE(sat)islowerthantheconventionalproducts. 2.Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeequivalentcircuit). 3.Thebiasresistorsconsistofthin-filmresistorswithcompleteisolationtoal | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM | ||
PNP-200mA-30VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors) | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM | ||
-200mA/-30VLowVCE(sat)Digitaltransistors(withbuilt-inresistors) Feature 1)VCE(sat)islowerthantheconventionalproducts. 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeequivalentcircuit). 3)Thebiasresistorsconsistofthin-filmresistorswithcompleteisolationtoall | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM | ||
PNP-200mA-30VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors) | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM | ||
-200mA/-30VLowVCE(sat)Digitaltransistors(withbuilt-inresistors) Feature 1)VCE(sat)islowerthantheconventionalproducts. 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeequivalentcircuit). 3)Thebiasresistorsconsistofthin-filmresistorswithcompleteisolationtoall | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM | ||
PNP-200mA-30VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors) | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM | ||
PNP-200mA-30VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors) | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
110V
- 最大電流允許值：
15A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BD545C,BD711,BD912,3DK108D,
- 最大耗散功率：
90W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
B-10
- vtest：
110
- htest：
999900
- atest：
15
- wtest：
90
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
BD743C
- 功能描述：
兩極晶體管 - BJT 90W NPN Silicon
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
詢價(jià) | |||
ST |
23+ |
TO-220 |
1350 |
絕對全新原裝!優(yōu)勢供貨渠道!特價(jià)!請放心訂購! |
詢價(jià) | ||
ST/進(jìn)口原 |
17+ |
TO-220 |
6200 |
詢價(jià) | |||
BOURNS |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
FSC |
18+ |
TO-220 |
85600 |
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票 |
詢價(jià) | ||
P |
23+ |
TO-220 |
350 |
詢價(jià) | |||
ST |
20+ |
TO-220 |
38900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-220 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) |
