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BD539分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BD539
廠商型號(hào)

BD539
參數(shù)屬性

BD539 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 80V 5A TO220
功能描述

Silicon NPN Power Transistor
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

130.22 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-4 17:00:00
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晶體管資料

  • 型號(hào)：

    BD539

  • 別名：

    BD539三極管、BD539晶體管、BD539晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    40V

  • 最大電流允許值：

    5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BD243,BD543,BD595,3DD64B,

  • 最大耗散功率：

    45W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    B-10

  • vtest：

    40

  • htest：

    999900

  • atest：

    5

  • wtest：

    45

BD539規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? DC Current Gain - : hFE = 40(Min.)@ IC= 0.5A

? Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min)

? Complement to Type BD540

APPLICATIONS

? Designed for use in medium power linear and switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BD539B-S

  • 制造商：

    Bourns Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.5V @ 1A，5A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    300μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    12 @ 3A，4V

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS NPN 80V 5A TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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