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BD537 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION TheBD533,BD535,andBD537aresiliconEpitaxial-BaseNPNpowertransistorsinJedecTO-220plasticpackage,intentedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications.ThecomplementaryPNPtypesareBD534,BD536,andBD538respectively. ■BD534,BD535,BD536,BD537ANDBD5 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | |
BD537 | Medium Power Linear and Switching Applications MediumPowerLinearandSwitchingApplications ?LowSaturationVoltage ?ComplementtoBD534,BD536andBD538respectively | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 | Fairchild | |
BD537 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD534/536/538 ·Lowsaturationvoltage APPLICATIONS ·Formediumpowerlinearandswitchingapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
BD537 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD534/536/538 ·Lowsaturationvoltage APPLICATIONS ·Formediumpowerlinearandswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
BD537 | PLASTIC POWER TRANSISTORS ?BD533,535,537NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS ?BD534,536,538PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS | CDIL Continental Device India Limited | CDIL | |
BD537 | Complementary power transistors DESCRIPTION TheBD533,BD535,andBD537aresiliconEpitaxial-BaseNPNpowertransistorsinJedecTO-220plasticpackage,intentedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications.ThecomplementaryPNPtypesareBD534,BD536,andBD538respectively. ■BD534,BD535,BD536,BD537ANDBD5 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | |
BD537 | Silicon NPN Power Transistor | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
BD537 | Silicon NPN Power Transistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
BD537 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | |
BD537 | Complementary power transistors | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | |
BD537 | 包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 80V 8A TO220 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | |
包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 80V 8A TO220-3 | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 80V 8A TO220-3 | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
4A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BD243B,BD589,3DD64C,
- 最大耗散功率：
50W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
B-10
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
4
- wtest：
50
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
BD537
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
800mV @ 600mA，6A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 2A，2V
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN 80V 8A TO220
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO-220-3 |
1722 |
詢價(jià) | |||
STMicro. |
23+ |
TO-220 |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
ST |
16+ |
原廠封裝 |
3050 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
FSC |
17+ |
TO-220 |
6200 |
詢價(jià) | |||
ST |
24+ |
TO-220 |
15000 |
原裝現(xiàn)貨熱賣 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
ST |
9856 |
TO-220 |
1812 |
只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!假一賠十! |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
TO-220 |
2987 |
只售原裝自家現(xiàn)貨!誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)!歡迎來電! |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
10000 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
FSC |
20+ |
TO-220 |
38560 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) |
