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BD536分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BD536
廠商型號(hào)

BD536
參數(shù)屬性

BD536 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 60V 8A TO220
功能描述

Silicon PNP Power Transistor
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

131.13 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-28 19:36:00
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晶體管資料

  • 型號(hào)：

    BD536(J,K)

  • 別名：

    BD536三極管、BD536晶體管、BD536晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    4A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BD244A,BD588,CD50B,

  • 最大耗散功率：

    50W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    B-10

  • vtest：

    60

  • htest：

    999900

  • atest：

    4

  • wtest：

    50

BD536規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? DC Current Gain - : hFE = 40@ lc=-0.5A

? Collector-EmitterSustaining Voltage- : VCEO(sus)= -60V(Min)

? Complement to Type BD535

APPLICATIONS

? Designedfor use in medium power linear andswitching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BD536

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    800mV @ 600mA，6A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    25 @ 2A，2V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS PNP 60V 8A TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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