BD246分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BD246 |
參數(shù)屬性 | BD246 封裝/外殼為TO-218-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 80V 10A SOT93 |
功能描述 | PNP SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS |
文件大小 |
75.06 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
3 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Comset Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
COMSET |
中文名稱 | Comset Semiconductor官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2024-12-27 9:29:00 |
晶體管資料
- 型號:
- 別名:
BD246三極管、BD246晶體管、BD246晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
45V
- 最大電流允許值:
10A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號:
BD214/45,BD250,BD258/45,TIP34,3CD10B,
- 最大耗散功率:
80W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號:
B-62
- vtest:
45
- htest:
999900
- atest:
10
- wtest:
80
BD246規(guī)格書詳情
PNP SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS
The BD246 series are PNP power transistors in a TO3PN envelope.
They are the power transistors for power amplifier and high-speed-switching applications.
The complementary is BD245, A, B, C
Compliance to RoHS.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
BD246B-S
- 制造商:
Bourns Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
管件
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
4V @ 2.5A,10A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
700μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 3A,4V
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-218-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-93
- 描述:
TRANS PNP 80V 10A SOT93
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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