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BD10200YS

10.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司

CDBD10200-G

ChipSchottkyBarrierRectifier

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

CDBD10200-HF

ChipSchottkyBarrierRectifier

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

CDBHA10200LR-HF

UltraLowVFSchottkyBarrierRectifiers

Features -Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. -Guardringforovervoltageprotection. -Lowpowerloss,highefficiency. -Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop. -Highsurgecapability. -Idealforautomatedplacement.

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

CSP10200SG-A

SuperLowBarrierHighVoltagePowerRectifier

CITCChip Integration Technology Corporation

竹懋科技竹懋科技股份有限公司

DSTF10200C

Highfrequencyoperation

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

DVRHV10200

HIGHVOLTAGESMDELECTROLYTIC-105?C

DUBILIER

dubilier

DVRHV10200

SURFACEMOUNTHIGHVOLTAGESMDELECTROLYTIC-105CDVJRHV

DUBILIER

dubilier

FBR10200

10AmpHighVoltageSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS

FCIFirst Components International

戈采戈采企業(yè)股份有限公司

FBRF10200

10AmpHighVoltageSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS

FCIFirst Components International

戈采戈采企業(yè)股份有限公司

FP10200

SILICONSURGESUPPRESSORDIODES

[LEDEX]

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

FP10200A

SILICONSURGESUPPRESSORDIODES

[LEDEX]

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

FST10200

10AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

10AmpSchottkyBarrierRectifier ?SchottkyBarrierRectifier ?VRRM180to200Volts ?2X5AmperesAvg. ?150°CJunctiontemperature ?Highsurgecapacity

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

FST10200

DualSchottkyBarrierRectifiers

FEATURES: *Guardringforreverseprotection *Lowpowerloss *Highefficiency *Highsurgecapacity *Pb/RoHSFree

EIC

EIC discrete Semiconductors

FXPT10200

FXPFlexiPlug?HYBRIDPLUGGABLEBLOCKScrew/Pressure-PlateTermination

AMPHENOLAmphenol Corporation

安費諾集團美國安費諾集團

FXPT10200E

FXPFlexiPlug?HYBRIDPLUGGABLEBLOCKScrew/Pressure-PlateTermination

AMPHENOLAmphenol Corporation

安費諾集團美國安費諾集團

GMBRD10200S

SchottkyBarrierRectifier

FEATURES ·Multi-layerMetal-SiliconPotentialStructure ·LowLeakageCurrent ·HighCurrentCapability,HighEfficiency ·HighJunctionTemperatureCapability

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

HBR10200

SCHOTTKYBARRIERDIODE

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

HBR10200C

SCHOTTKYBARRIERDIODE

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

HBR10200CR

SCHOTTKYBARRIERDIODE

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

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