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V8PM12

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable? -Automotiveorderingcode;baseP/

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V8PM12

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BCR8PM12L

  • 功能描述：

    TRIAC|600V V(DRM)|8A I(T)RMS|TO-220AB

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多BCR8PM12L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-6 15:00:00

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