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BCR198W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

BCR198W
廠商型號

BCR198W

參數(shù)屬性

BCR198W 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

功能描述

PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

封裝外殼

SC-70,SOT-323

文件大小

34.71 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡稱

SIEMENS西門子

中文名稱

德國西門子股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-7 22:30:00

晶體管資料

  • 型號:

    BCR198W

  • 別名:

    BCR198W三極管、BCR198W晶體管、BCR198W晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+R

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    50V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    DTA144EU,RN2304,UN5113,2SA1676,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0

BCR198W規(guī)格書詳情

PNP Silicon Digital Transistor

? Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit

? Built in bias resistor (R1 = 47k?, R2 = 47k?)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BCR198WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 5mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT323

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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