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BCR133W分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

BCR133W
廠商型號

BCR133W

參數屬性

BCR133W 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產品描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

功能描述

NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

封裝外殼

SC-70,SOT-323

文件大小

34.63 Kbytes

頁面數量

4

生產廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡稱

SIEMENS西門子

中文名稱

德國西門子股份公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-2-23 19:39:00

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晶體管資料

  • 型號:

    BCR133W

  • 別名:

    BCR133W三極管、BCR133W晶體管、BCR133W晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+R

  • 性質:

    差分放大器射極輸出 (Dual)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    50V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數:

    3

  • 可代換的型號:

    DTC114EU,UN5211,2SC4398,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數:

  • 圖片代號:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0

BCR133W規(guī)格書詳情

NPN Silicon Digital Transistor

? Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit

? Built in bias resistor (R1=10k?, R2=10k?)

產品屬性

  • 產品編號:

    BCR133WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 5mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應商器件封裝:

    PG-SOT323

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon/英飛凌
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25000
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