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BCR103U

NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=2.2k?,R2=2.2k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR108

NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit

?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=2.2k?,R2=47k?)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BCR108

Marking：WHs；Package：SOT-23；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=2.2k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR108

Marking：WHs；Package：SOT-23；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=2.2k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR108

Marking：WHs；Package：SOT-23；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=2.2k?,R2=47k?) ?BCR108S:Twointernallyisolated transistorswithgoodmatching inonemultichippackage ?BCR108S:Fororientationinreelsee packa

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR108F

Marking：WHs；Package：TSFP-3；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=2.2k?,R2=47k?) ?BCR108S:Twointernallyisolated transistorswithgoodmatching inonemultichippackage ?BCR108S:Fororientationinreelsee packa

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR108F

Marking：WHs；Package：TSFP-3；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=2.2k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR108F

Marking：WHs；Package：TSFP-3；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=2.2k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR108L3

Marking：WH；Package：TSLP-3-4；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=2.2k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR108L3

Marking：WH；Package：TSLP-3-4；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=2.2k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

晶體管資料

  • 型號：

    BCR108

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+R

  • 性質：

    表面帖裝型 （SMD）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    DTC123JK,KSR1113,RN1405,UN221M,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-15

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BCR10

  • 制造商：

    INFINEON

  • 制造商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述：

    NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array(Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit)

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BCR10供應商 更新時間2025-4-22 9:01:00

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