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BCP5316TC	文件：116.75 Kbytes Page：7 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features ?BVCEO>-45V,-60V&-80V ?IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=-2APeakPulseCurrent ?2WPowerDissipation ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BCX5316	文件：33.19 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR SOT89PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR COMPLIMENTARYTYPE–BCX5616 PARTMARKINGDETAIL–AL	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BCX5316Q	文件：316.41 Kbytes Page：7 Pages	80VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofautomotiveapplications. Features ?BVCEO>-80V ?IC=-1AContinuousCollectorCurrent ?ICM=-2APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BCX5316QTA	文件：316.41 Kbytes Page：7 Pages	80VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofautomotiveapplications. Features ?BVCEO>-80V ?IC=-1AContinuousCollectorCurrent ?ICM=-2APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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BCX5316TA	文件：132.04 Kbytes Page：7 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT89 Features ?BVCEO>-45V,-60V&-80V ?IC=-1AContinuousCollectorCurrent ?ICM=-2APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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BD5316	文件：2.33137 Mbytes Page：23 Pages	FreeTimeDelaySettingCMOSVoltageDetector(Reset)IC GeneralDescription ROHM'sBD52xx-2MandBD53xx-2Mseriesarehighly accurate,lowcurrentconsumptionVoltageDetector ICswithacapacitorcontrolledtimedelay.Thelineup includesN-channelopendrainoutput(BD52xx-2M) andCMOSoutput(BD53xx-2M)sothattheuserscan selectdependingo	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
EDJ5316BASE-AC-E	文件：1.56262 Mbytes Page：130 Pages	512MbitsDDR3SDRAM	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司	ELPIDA
EDJ5316BASE-AE-E	文件：1.56262 Mbytes Page：130 Pages	512MbitsDDR3SDRAM	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司	ELPIDA
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EDJ5316BASE-DG-E	文件：1.56262 Mbytes Page：130 Pages	512MbitsDDR3SDRAM	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司	ELPIDA
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EDJ5316DBBG	文件：2.30104 Mbytes Page：173 Pages	512MbitsDDR3SDRAM	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司	ELPIDA
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EDJ5316DBBG-GN-F	文件：2.30104 Mbytes Page：173 Pages	512MbitsDDR3SDRAM	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司	ELPIDA

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詳細參數(shù)

型號：
BCP5316TC
功能描述：
兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
艾睿國際（香港）有限公司	BCP5316TC	DIODES/美臺	2021+	SOT223	100500	一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價
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更多BCP5316TC供應(yīng)商更新時間2025-1-18 15:00:00

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