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BC856BQC-Q分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BC856BQC-Q
廠商型號

BC856BQC-Q

參數(shù)屬性

BC856BQC-Q 封裝/外殼為3-XDFN 裸露焊盤;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3

功能描述

65 V, 100 mA NPN general-purpose transistor

封裝外殼

3-XDFN 裸露焊盤

文件大小

249.37 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-26 9:48:00

BC856BQC-Q規(guī)格書詳情

Features and benefits

? High power dissipation capability

? High voltage (max. 65 V)

? Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint

? Smaller footprint compared to conventional leaded SMD packages

? Low package height of 0.5 mm

? Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BC856BQC-QZ

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, BC856xQC-Q

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    650mV @ 5mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    220 @ 2mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝,可潤濕側(cè)翼

  • 封裝/外殼:

    3-XDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DFN1412D-3

  • 描述:

    TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3

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