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BC850CW

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

BC850S-B

GeneralPurposeTransistors

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V

FS

First Silicon Co., Ltd

BC850S-C

GeneralPurposeTransistors

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V

FS

First Silicon Co., Ltd

BC850T

NPNSiliconAFTransistors

NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes: BC856T,BC857T, BC858T,BC859T,BC860T

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC850W

NPNgeneralpurposetransistors

DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC859WandBC860W. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BC850W

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation200mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled

Diotec

Diotec Semiconductor

BC850W

NPNSiliconAFTransistors

NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W,BC859W,BC860W(PNP)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC850W

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forgeneralpurposeandswitchingapplications

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

BC850W

NPNgeneralpurposetransistors

DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC859WandBC860W. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BC850W

NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BC850BTC

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT -

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SAMSUNG
24+
SOT-23
27130
新進庫存/原裝
 詢價
SAMSANG
19+
SOT-23
256800
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價
SAMSUNG/三星
23+
SOT-23
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
SAMSUNG/三星
22+
SOT-23
50000
原裝正品.假一罰十
 詢價
SAMSUNG/三星
24+
NA/
20930
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價
SAMSUNG/三星
25+
SOT-23
20930
原裝正品,假一罰十!
 詢價
NXP/恩智浦
24+
TO-220
18500
公司現(xiàn)貨庫存,支持實單
 詢價
SOT-23
23+
NA
15659
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!
 詢價
SAMSUNG/三星
24+
SOT-23
60000
詢價
INFINEON
23+
SOT-323
3000
全新原裝正品
 詢價
更多BC850BTC供應(yīng)商 更新時間2025-4-14 10:50:00

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