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BC848BW分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BC848BW
廠商型號

BC848BW

參數(shù)屬性

BC848BW 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT323

功能描述

NPN Silicon AF Transistors
TRANS NPN 30V 0.1A SOT323

絲印標(biāo)識

1Ks

封裝外殼

SOT-323 / SC-70,SOT-323

文件大小

229.84 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-4-9 13:00:00

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BC848BW規(guī)格書詳情

BC848BW屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BC848BW晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

NPN Silicon AF Transistors

● For AF input stages and driver applications

● High current gain

● Low collector-emitter saturation voltage

● Low noise between 30 Hz and 15 kHz

● Complementary types: BC856W, BC857W, BC858W, BC859W, BC860W (PNP)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BC848BWE6327BTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    600mV @ 5mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 2mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    250MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT323

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 0.1A SOT323

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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