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BC807-XX	文件：555.56 Kbytes Page：3 Pages	Ldeallysuitedforautomaticinsertion FEATURES ·Ldeallysuitedforautomaticinsertion ·epitaxialplanardieconstruction ·complementaryNPNtypeavailable(BC817)	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
BD807	文件：245.69 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·DCCurrentGain-:hFE=30(Min.)@IC=2A ·Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=60V(Min) ·ComplementtoTypeBD808 APPLICATIONS ·Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BD807	文件：127.88 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BGO807	文件：141.9 Kbytes Page：11 Pages	870MHzopticalreceivers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BGO807	文件：82.39 Kbytes Page：10 Pages	870MHzopticalreceivers Generaldescription HighdynamicrangeopticalreceiveramplifiermodulesinastandardSOT115packagewherethenon-jacketedfiberhaseithernoconnectororhasanFC/APCorSC/APCconnector. Features ■Excellentlinearity ■Lownoise ■Excellentflatness ■StandardCATVoutline ■Rugged	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BGO807C	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BGO807CE	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BS807	文件：63.15 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEDMOSTRANSISTOR Features ?HighBreakdownVoltage ?HighInputImpedance ?FastSwitchingSpeed ?SpeciallySuitedforTelephoneSubsets ?IdealforAutomatedSurfaceMountAssembly	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BU807	文件：110.55 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(8.0A,150-200V,60W)	MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司	MOSPEC
BU807	文件：59.97 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMVOLTAGENPNFASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION ThedevicesaresiliconEpitaxialPlanarNPNpowertransistorsinDarlingtonconfigurationwithintegratedbase-emitterspeed-updiode,mountedinTO-220plasticpackage. Theycanbeusedinhorizontaloutputstagesof110oCRTvideodisplays. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
BU807	文件：116.49 Kbytes Page：3 Pages	FASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTOR	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導(dǎo)體公司	boca
BU807	文件：41.34 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor HighVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor ?UsingInHorizontalOutputStagesof110°CrtVideoDisplays ?BUILT-INSPEED-UPDiodeBetweenBaseandEmitter	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BU807	文件：347.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBU806andBU807typesareNPNSiliconDarlingtonTransistorsdesignedforhighvoltage,highcurrent,fastswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
BU807	文件：127.15 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BU807	文件：347.35 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORv	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
BU807	文件：199.17 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltage:VCBO=330V(Min)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BU807	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BU807	文件：164.3 Kbytes Page：6 Pages	FASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheBUB806/807andBUBO6FI/807F!aresilicon epitaxialplanarNPNpowertransistorsinDar- lingtonconfigurationwithintegratedbase-emitter speed-updiode,mountedrespectivelyinTO-220 plasticpackageandISOWATT220fullyisolated package.Theyarehighvoltage,highcurrent	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
BU807FI	文件：94.06 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ?HighVoltage:VCBO=330V(Min) ?LowSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A APPLICATIONS ?DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sandCRT’s.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BU807FI	文件：125.37 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ?HighVoltage:VCBO=330V(Min) ?LowSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A APPLICATIONS ?DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sandCRT’s.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
BC807WT/R
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	BC807W超小型管	NXP/恩智浦	23+	SOT-323	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市吉銀科技有限公司	BC807W超小型管	PHILIPS/飛利浦	1535+		2996		詢價
深圳廊盛科技有限公司	BC807W超小型管	NXP/恩智浦	2022	SOT-323	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價
深圳市寶隆宏業(yè)科技有限公司	BC807W超小型管	NEXPERIA/安世	2122+	SOT-323	98800	全新原裝正品現(xiàn)貨,假一賠十	詢價
深圳市東來寶電子科技有限公司	BC807W超小型管	NXP/恩智浦	22+	SOT23-3	62100	鄭重承諾只做原裝進口現(xiàn)貨	詢價
深圳市云美電子科技有限公司	BC807W超小型管	CJ/長電	22+	SOT-323	552000	只做原裝進口現(xiàn)貨	詢價
深圳市鼎欣微電子有限公司	BC807W超小型管	NEXPERIA/安世	23+		12000		詢價
深圳市科芯源微電子有限公司	BC807W超小型管	CJ/長電	23+	SOT-323	54258	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費!	詢價
深圳市熠燦電子科技有限公司	BC807W超小型管	PHILIPS/飛利浦	23+		2996	全新原裝，歡迎來電咨詢	詢價
深圳市芯連勝科技有限公司	BC807W老年份	長電	2015	SOT-323	3000		詢價

更多BC807WT/R供應(yīng)商更新時間2024-12-30 11:00:00

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