BC639ZL1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
BC639ZL1G |
參數(shù)屬性 | BC639ZL1G 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 長基體(成形引線);包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 80V 1A TO92 |
功能描述 | High Current Transistors |
封裝外殼 | TO-226-3,TO-92-3 長基體(成形引線) |
文件大小 |
66.58 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-5-23 20:00:00 |
人工找貨 | BC639ZL1G價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
BC639ZL1G規(guī)格書詳情
BC639ZL1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BC639ZL1G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
High Current Transistors
NPN Silicon
Features
? These are Pb?Free Devices*
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
BC639ZL1G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
剪切帶(CT)帶盒(TB)
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
500mV @ 50mA,500mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 150mA,2V
- 頻率 - 躍遷:
200MHz
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-226-3,TO-92-3 長基體(成形引線)
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-92(TO-226)
- 描述:
TRANS NPN 80V 1A TO92
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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CSR |
25+ |
QFN40 |
80 |
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詢價(jià) | ||
CSR |
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QFN40 |
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CSR |
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BGA |
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