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BC557BG	文件：77.87 Kbytes Page：7 Pages	AmplifierTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BC557BG	文件：87.24 Kbytes Page：7 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BC557BTA	文件：142.89 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC557BTA	文件：142.89 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features ?SwitchingandAmplifier ?High-Voltage:BC556,VCEO=-65V ?Low-Noise:BC559,BC560 ?ComplementtoBC546,BC547,BC548,BC549,andBC550	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC557BTF	文件：142.89 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features ?SwitchingandAmplifier ?High-Voltage:BC556,VCEO=-65V ?Low-Noise:BC559,BC560 ?ComplementtoBC546,BC547,BC548,BC549,andBC550	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC557BTF	文件：142.89 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC557C	文件：158.9 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors(PNPSilicon) AmplifierTransistors PNPSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BC557C	文件：47.79 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. NPNcomplements:BC546,BC547andBC548. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC557C	文件：220.19 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
BC557C	文件：58.97 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS APPLICATION PNPGeneralPurposeTransistors,EspeciallySuitedForUseinDriverStagesofAudioAmplifier,LowNoiseInputStagesofTapeRecorders,HI-FIAmplifiers,SignalProcessingCircuitsofTelevisionReceivers.	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導(dǎo)體公司	boca
BC557C	文件：313.16 Kbytes Page：3 Pages	ElektronischeBauelemente FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.1A Collector-basevoltage VCBO:BC556-80V BC557-50V BC558-30V Operatingandstoragejunctiontemp	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC557C	文件：2.17097 Mbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor PNPGeneralPurposeTransistor	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC557C	文件：107.37 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors PNPSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BC557C	文件：144.86 Kbytes Page：2 Pages	Si-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposePNPTransistors ?Powerdissipation500mW ?PlasticcaseTO-92 ?Weightapprox.0.18g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedinammopack	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC557C	文件：77.87 Kbytes Page：7 Pages	AmplifierTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BC557C	文件：92 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconPlanarEpitaxialTransistors	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BC557C	文件：294.96 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAmplifierTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
BC557C	文件：68.56 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.625W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.1A Collector-basevoltageVCBO:BC556-80VBC557-50VBC558-30V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
BC557C	文件：53.1 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedMultipleTransistors??QuadSurfaceMount(Case751B-SO-16)??NPN/PNP)	ALLIED Allied Components International	ALLIED
BC557C	文件：358.64 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	CDIL Continental Device India Limited	CDIL

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BC557B T/R
功能描述：
兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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